氧化铟(In2O3)是一种新的n型透明半导体功能材料,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外,还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。
基本信息中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精确质量:277.79200
PSA:43.370001
物化性质外观:浅黄色粉末
含量:99.99%
密度:7.18g/ml
熔点:2000ºC
沸点:850ºC
稳定性:Stable. Not flammable. Incompatible with acids.
储存条件:库房通风低温干燥1
杂质要求
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