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[科普中国]-可编程金属化单元

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可编程金属化单元(英语:programmable metallization cell,缩写为PMC),一种新的非挥发性内存技术,由亚利桑那州立大学开发,这项专利目前已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代快闪存储器。

简介英飞凌在2004年取得PMC技术的授权,并用来开发导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM,CBRAM),NEC称为Nanobridge,Sony称其为electrolytic memory。但这些公司都没有做出实际应用成果。

目前最主要推动 CBRAM 装置的公司是Adesto Technologies,最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。1

非易失性存储器非易失性存储器(英语:non-volatile memory,缩写为NVM)是指当电流关掉后,所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中,依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准,可分为二大类产品,即ROM和Flash memory。

非易失性存储器主要有以下类型:

ROM(Read-only memory,只读存储器)

PROM(Programmable read-only memory,可编程只读存储器)

EAROM(Electrically alterable read only memory,电可改写只读存储器)

EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可编程只读存储器)

EEPROM(Electrically erasable programmable read only memory,电可擦可编程只读存储器)

Flash memory(闪存)

硬盘, 光盘与磁带虽然也是非易失性存储器, 但现行NVM一般特指非机械式之电子组件。2

闪存快闪存储器(英语:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除,就会清除掉整颗芯片上的数据。

闪存的成本远较可以字节为单位写入的EEPROM来的低,也因此成为非易失性固态存储最重要也最广为采纳的技术。像是PDA、笔记本电脑、数字随身听、数码相机与手机上均可见到闪存。此外,闪存在游戏主机上的采用也日渐增加,藉以取代存储游戏数据用的EEPROM或带有电池的SRAM。

闪存是非易失性的存储器。这表示单就保存数据而言,它是不需要消耗电力的。与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。

虽然闪存在技术上属于EEPROM,但是“EEPROM”这个字眼通常特指非快闪式、以小区块为清除单位的EEPROM。它们典型的清除单位是字节。因为老式的EEPROM抹除循环相当缓慢,相较之下快闪记体较大的抹除区块在写入大量数据时带给其显著的速度优势。

闪存又分为NOR与NAND两型,闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA,在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种:ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。2

本词条内容贡献者为:

李嘉骞 - 博士 - 同济大学