五款晶圆首秀，英特尔展现制程工艺领导力

　　北京2017年9月21日电 /美通社/ -- 在9月19日于北京举行的英特尔精尖制造日上，英特尔在其展示区域和主题演讲上展示了五款晶圆。这是英特尔首次公开展示这五款晶圆，彰显了英特尔在制造领域取得的巨大进步。

　　这五款晶圆包括：英特尔10纳米Cannonlake、英特尔10纳米Arm测试芯片、英特尔22FFL、14纳米展讯SC9861G-IA和14纳米展讯SC9853I。

　　英特尔Cannonlake采用10纳米制程工艺，不仅拥有全球最密集的晶体管和金属间距，还采用了超微缩特性，这两大优势保证了密度的领先性，比竞争友商的“10 纳米”技术领先了整整一代，计划于2017年下半年开始生产。超微缩可释放出多模式方案的全部价值，使得英特尔得以继续摩尔定律的经济效益。

　　英特尔10纳米Cannonlake

　　英特尔与Arm在10nm的合作取得了长足进步。英特尔10nm CPU测试芯片流片具有先进的Arm CPU核， 使用行业标准的设计实现，电子设计自动化(EDA) Place and Route工具和流程，性能高达3GHz以上。ARM同时正在开发高性能存储器、逻辑单元和CPU POP套件，以进一步扩展下一代ARM CPU在英特尔10nm技术上的性能水平。

　　英特尔10纳米Arm测试芯片

- ARM Cortex A75: Intel 10nm 测试芯片

　　在12周内从RTL 至首次Tape Out

　　标准英特尔10nm工艺

　　最新的软件测试结果 > 3.3GHz

　　250uW/MHz

　　英特尔22FFL（FinFET 低功耗）平台旨在推动FinFET的大规模应用。它具备：

　　英特尔 22FFL

卓越集成能力

　　一流的 CPU 性能，主频超过 2 GHz

　　超低功耗，漏电率降低 100 倍

　　22 纳米+ 制程，每平方毫米 1,780 万个晶体管

　　全面的 RF 设计支持

　　快速上市速度

　　行业最易使用的FinFET 制程

　　成熟生产平台，具备业经验证的22/14 纳米特性

　　经过芯片验证的移动/物联网 IP 组合

　　Arm 库和 POP 套件

　　英特尔架构处理器 IP 套件

　　交钥匙代工服务与支持

　　Cost-effective的设计

　　与业界28纳米的平面(planar)工艺相比在成本上极具竞争力

　　单模式互联和宽泛的 DFM 规则

　　无复杂的衬底偏压要求

　　理想应用

　　入门级/经济型智能手机

　　车载

　　可穿戴设备

　　展讯的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移动 AP 均使用英特尔的 14 纳米低功耗平台制造而成，这两款移动 AP 分别于 2017 年 3 月和 8 月推出，同时还使用了英特尔 Airmont CPU 架构。

　　14纳米展讯 SC9853I

　　14纳米展讯 SC9861G-IA

英特尔的 14 纳米平台适用于制造需要高性能和低漏电功耗的产品

　　第二代 FinFET 技术

　　行业领先的 PPA，每平方毫米 3,750 万个晶体管

　　一流的 CPU 性能，主频超过 2.5 GHz

　　快速上市速度

　　业经验证的 14 纳米 HVM（大规模量产） 技术

　　经过芯片验证的移动/网络 IP 组合

　　交钥匙代工服务与支持

　　两个平台满足您的全部产品需求

　　通用 (GP)

　　低功耗 (LP)

　　理想应用

　　主流移动

　　数据中心